Foi estudado o comportamento eletroquímico de interfases Cu/H₂SO₄ 0,5 mol L^-1 na ausência e presença de compostos triazólicos - benzotriazol (BTAH) e tolitriazol (TTAH) e de surfactantes: dodecilsulfato de sódio (SDS aniônico) e cloreto de dodecilamônio (DAC catiônico) a 25ºC, empregando eletrodo parado e de disco rotativo (EDR). Foram empregadas como técnicas medidas de potencial de circuito aberto, polarização potenciostática e potenciodinâmica, cronoamperometria, espectroscopia de impedância eletroquímica e microscopia óptica. As características inibidoras do filme formado dependem da natureza dos aditivos e das condições hidrodinâmicas. As interfases contendo BTAH, TTAH, BTAH + TTAH, BTAH + SDS e TTAH + SDS apresentaram uma faixa ampla de potencial em que o cobre se mostrou passivado, chegando a 200 mV para a mistura BTAH + SDS empregando EDR. Densidades de corrente de passivação tão baixas quanto 2µA cm^-2 foram observadas com EDR na presença de BTAH + TTAH. As misturas composto triazólico - surfactante mostraram filmes menos resistentes. Os surfactantes isolados não produzem faixa passiva e antecipam o potencial de oxidação do cobre com eletrodo parado. As misturas triazol - DAC só produzem faixa passiva com EDR. Todos os aditivos se mostraram inibidores para a reação H⁺/H₂, destacando-se, com eletrodo parado, BTAH, TTAH e BTAH + TTAH.

The electrochemical behavior of 0.5 mol.L^-1 Cu/H₂SO₄ interphases has been studied in the presence and in the absence of triazolic compounds-benzotriazole (BTAH) and tolitriazole (TTAH) and of surfactants - sodium dodecylsulphate (anionic, SDS) and dodecylammonium chloride (cationic, DAC) at 25ºC, using non-stirred electrode and rotating disc electrode (RDE). Open circuit potential, potentiostatic and potenctiodinamic polarization, chronoamperometry, electrochemical impedance spectroscopy, and optical microscopy were used as techniques. The inhibitive features of the formed film depend on both the nature of the additives and on the hydrodynamic conditions. The interphases containing BTAH, TTAH, BTAH + TTAH, BTAH + SDS e TTAH + SDS presented a wide potential range where the copper is passivated, reaching to 200 mV for BTAH + SDS mixture using RDE. Low passivating current densities (2µA cm^-2) were observed with RDE in the presence of BTAH + TTAH. Triazolic compound?surfactant mixtures have originated less resistant films. Isolated surfactants do not originate passive ranges and anticipate the oxidation potential of copper under non stationary conditions. The mixtures triazole-DAC only produce passive range at stationary conditions. All the additives have shown to be inhibitors for the H⁺/H₂ reaction, specially BTAH, TTAH e BTAH + TTAH using non stirred conditions.