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Tese de Doutorado
DOI
10.11606/T.43.2008.tde-17052008-125518
Documento
Autor
Nome completo
Ivan Ramos Pagnossin
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2008
Orientador
Banca examinadora
Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (Presidente)
Assali, Lucy Vitoria Credidio
Iikawa, Fernando
Meneses, Eliermes Arraes
Seabra, Antonio Carlos
Título em português
Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos
Palavras-chave em português
efeito Hall quântico
estados de borda contrarotativos
fotodetectores
localização-fraca
poço-quântico-duplo
pontos-quânticos
Resumo em português
Apresentamos neste trabalho algumas propriedades do transporte de cargas de heteroestruturas contendo pontos-quânticos. Três tópicos foram explorados: no primeiro, observamos um comportamento anômalo nos platôs do efeito Hall quântico, que atribuímos à existência de estados de borda contra-rotativos; no segundo, determinamos o tempo de decoerência do sistema bidimensional de elétrons em função do estágio evolutivo de pontos-quânticos de InAs autoformados nas suas proximidades. Concluímos que a tensão mecânica acumulada durante o crescimento epitaxial "congela" os elétrons, reduzindo a taxa de decoerência; finalmente, testamos algumas das possíveis configurações de heteroestruturas visando a construção de fotodetectores baseados em pontos-quânticos. Observamos que a repetição da região-ativa pode ser utilizada como um parâmetro no controle das mobilidades quânticas e, por conseguinte, das propriedades de operação desses detectores.
Título em inglês
Quantum dots: photodetectors, weak localization and counter-rotating edge states
Palavras-chave em inglês
counter rotating edge states
photodetectors
quantum dots
quantum Hall effect
weak localization.
Resumo em inglês
In this work we present transport properties of heterostructures with quantum-dots. Three subjects were exploited: on the first one, we observed anomalous quantum Hall plateaus, for wich we attributed to the existence of counter-rotating edge-states; on the second subject, we determined the decoherence time of the bidimensional electron system as a function of the evolutionary stage of nearby self-assembled quantum-dots. We concluded the mechanical stress accumulated during the epitaxial growth "freezes" the electrons, reducing the decoherence rate; finally, we tested some base-heterostructures of infrared photodetectors. We observed the stacking of active-regions can be used as a parameter to control quantum-mobilities and, as a consequence, the operation properties of such detectors.
 
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IvanDR.pdf (2.01 Mbytes)
Data de Publicação
2008-06-11
 
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