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Doctoral Thesis
DOI
https://doi.org/10.11606/T.43.2008.tde-17052008-125518
Document
Author
Full name
Ivan Ramos Pagnossin
E-mail
Institute/School/College
Knowledge Area
Date of Defense
Published
São Paulo, 2008
Supervisor
Committee
Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (President)
Assali, Lucy Vitoria Credidio
Iikawa, Fernando
Meneses, Eliermes Arraes
Seabra, Antonio Carlos
Title in Portuguese
Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos
Keywords in Portuguese
efeito Hall quântico
estados de borda contrarotativos
fotodetectores
localização-fraca
poço-quântico-duplo
pontos-quânticos
Abstract in Portuguese
Apresentamos neste trabalho algumas propriedades do transporte de cargas de heteroestruturas contendo pontos-quânticos. Três tópicos foram explorados: no primeiro, observamos um comportamento anômalo nos platôs do efeito Hall quântico, que atribuímos à existência de estados de borda contra-rotativos; no segundo, determinamos o tempo de decoerência do sistema bidimensional de elétrons em função do estágio evolutivo de pontos-quânticos de InAs autoformados nas suas proximidades. Concluímos que a tensão mecânica acumulada durante o crescimento epitaxial "congela" os elétrons, reduzindo a taxa de decoerência; finalmente, testamos algumas das possíveis configurações de heteroestruturas visando a construção de fotodetectores baseados em pontos-quânticos. Observamos que a repetição da região-ativa pode ser utilizada como um parâmetro no controle das mobilidades quânticas e, por conseguinte, das propriedades de operação desses detectores.
Title in English
Quantum dots: photodetectors, weak localization and counter-rotating edge states
Keywords in English
counter rotating edge states
photodetectors
quantum dots
quantum Hall effect
weak localization.
Abstract in English
In this work we present transport properties of heterostructures with quantum-dots. Three subjects were exploited: on the first one, we observed anomalous quantum Hall plateaus, for wich we attributed to the existence of counter-rotating edge-states; on the second subject, we determined the decoherence time of the bidimensional electron system as a function of the evolutionary stage of nearby self-assembled quantum-dots. We concluded the mechanical stress accumulated during the epitaxial growth "freezes" the electrons, reducing the decoherence rate; finally, we tested some base-heterostructures of infrared photodetectors. We observed the stacking of active-regions can be used as a parameter to control quantum-mobilities and, as a consequence, the operation properties of such detectors.
 
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IvanDR.pdf (2.01 Mbytes)
Publishing Date
2008-06-11
 
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