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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.43.2018.tde-10082018-145516
Document
Auteur
Nom complet
Ahmad Al Zeidan
Adresse Mail
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Paulo, 2017
Directeur
Jury
Quivy, Alain Andre (Président)
Fonseca, Fernando Josepetti
Pires, Mauricio Pamplona
Titre en portugais
Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada
Mots-clés en portugais
Epitaxia por feixes moleculares.
Fotodetectores
InAs
infravermelho
Pontos quânticos
Submonocamada
Resumé en portugais
Nesse trabalho, foi investigado um novo tipo de fotodetector de radiação infravermelha baseado em pontos quânticos de submonocamada de InAs obtidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy). Suas propriedades foram comparadas com as de fotodetectores de pontos quânticos de InAs convencionais obtidos pela mesma técnica de deposição, mas no modo de crescimento Stranski-Krastanov. Medidas de corrente de escuro, de ruído, de responsividade e de absorção mostraram que, dependendo da estrutura das amostras, os dispositivos com pontos quânticos de submonocamada podem ter um excelente desempenho.
Titre en anglais
Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots.
Mots-clés en anglais
InAs
Infrared
Molecular beam epitaxy
Photodetectors
Quantum dots
Submonolayer
Resumé en anglais
In this work, we investigated a new type of infrared photodetector based on InAs sub-monolayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy (MBE). Their properties were compared with those of photodetectors containing conventional InAs quantum dots obtained by the same deposition technique, but in the Stranski-Krastanov growth mode. Dark current, noise, responsivity and absorption measurements have shown that, depending on the structure of the samples, the devices with sub-monolayer quantum dots can perform very well.
 
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DissertZeidan.pdf (2.86 Mbytes)
Date de Publication
2018-08-10
 
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