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Tese de Doutorado
DOI
10.11606/T.43.2005.tde-05122006-114829
Documento
Autor
Nome completo
Frederico Ayres de Oliveira Neto
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2005
Orientador
Banca examinadora
Assali, Lucy Vitoria Credidio (Presidente)
Bindilatti, Valdir
Capelle, Klaus Werner
Lima, Ivan Costa da Cunha
Miotto, Ronei
Título em português
Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2"
Palavras-chave em português
Defeitos
DFT
Primeiros princípios
Semicondutores
Resumo em português
O iodeto de mercúrio em sua fase vermelha, "alfa"-"HgI IND.2, é um material semicondutor que desperta grande interesse tecnológico devido à sua potencial aplicação como detector, a temperatura ambiente, de raios-"gama" e X. Sua imediata aplicação como detector de radiação, no entanto, ainda sofre algumas restrições devido às dificuldades de controle sobre a concentração de defeitos pontuais e extensos, durante sua síntese, e sua fácil degradação quando exposto ao ambiente. A presença destes defeitos gera uma redução na mobilidade de portadores de carga, diminuindo a eficiência de detecção. Neste trabalho, realizamos uma investigação teórica das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas do "alfa"-"HgI IND.2" e do "ZnI IND.", cuja estrutura cristalina é análoga à do "alfa"-"HgI IND.2". Estudamos, também, o comportamento de tais propriedades do material contendo vacâncias de Hg e de I para entendermos o papel desempenhado por estes defeitos nas propriedades do material. Na análise dos resultados, sempre que possível, são apresentadas comparações com outros resultados teóricos e com dados experimentais. Nossos cálculos foram efetuados dentro do formalismo do funcional da densidade em combinação com duas diferentes aproximações para o termo de exchange e correlação. Utilizamos o método Augmented Plane Wave plus local orbitals (APW+lo), que é um método de primeiros princípios e inclui todos os elétrons do sistema (all electron). Adicionalmente, foram utilizados esquemas que incluem efeitos relativísticos e polarização de spin. O estudo dos defeitos foi simulado através do esquema da supercélula
Título em inglês
Structural, electronic and optical properties of Hgl2 and Znl2 semiconductors materials and defects in Hgl2
Palavras-chave em inglês
Defects
DFT
Semiconductors
Resumo em inglês
Mercuric iodide "alfa"-"HgI IND.2 in its red tetragonal crystalline phase is a semiconducting material of great technological interest due to the potential applications as a detector for y- and X-ray spectroscopy to be operated at room temperatures.
 
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1458359.pdf (3.48 Mbytes)
Data de Publicação
2006-12-12
 
AVISO: O material descrito abaixo refere-se a trabalhos decorrentes desta tese ou dissertação. O conteúdo desses trabalhos é de inteira responsabilidade do autor da tese ou dissertação.
  • ASSALI, L. V. C., MACHADO, W V M, and JUSTO, J F. Transition metal impurities in 3C-Sic and 2H-SiC [doi:10.1016/j.physb.2003.09.008]. Physica. B, Condensed Matter [online], 2003, vol. 340342, p. 116-120.
  • Assali, L.V.C., et al. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [doi:10.1007/s00339-002-1990-7]. Applied Physics. A, Materials Science & Processing [online], 2003, vol. 76, p. 991-997.
  • AYRES, F., et al. Defects in mercuric iodide: an APW investigation [doi:10.1016/j.physb.2003.09.236]. Physica. B, Condensed Matter [online], 2003, vol. 340342, p. 918-922.
  • LARICO, R, et al. An ab initio investigation on nickel impurities in diamond [doi:10.1016/j.physb.2003.09.010]. Physica. B, Condensed Matter [online], 2003, vol. 340342, p. 84-88.
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