Neste trabalho apresentamos estudos sobre a estrutura eletronica de impurezas isoladas e complexas em germanio as quais sao responsaveis pela introducao de niveis de energia profundos na banda proibida do semicondutor. O modelo utilizado e o do aglomerado molecular, dentro do formalismo autoconsistente do metodo do espalhamento multiplo-'X IND.ALFA' com o tratamento dos orbitais de superficie atraves da esfera de watson. Efeitos de polarizacao de spin e de relaxacao eletronica sao incluidos. Aplicamos o metodo para analisar impurezas isoladas de cobre substitucional ('GE:'cu ind.S'); COBRE INTERSTICIAL ('ge':'cu ind.I') E DE LITIO INTERSTICIAL ('ge':'li ind.I') E AS IMPUREZAS COMPLEXAS DE COBRE SUBSTITUCIONAL - COBRE INTERSTICIAL ('ge':'cu ind.I''cu ind.S') E COBRE SUBSTITUCIONAL - LITIO ('ge':'li ind.I''cu ind.S'). Nossos resultados sao comparados com dados experimentais existentes na literatura

In this work we report results for the electronic structure of Isolated and complex impurities in Germanium which introduces deep leveis In the crystal band gap. The calculations are carried out by using the The theory-Scattering-X theory within the Watson-sphere-terminated molecular-cluster method. The self-constructive calculations are carried out by taking into account the spin-polarization and electronic relaxation effects. The following isolated and complex impurities are studied: substitutional Copper Interstitial Lithium Copper (Ge: Cu Cu); 1 s (Ge: Cu); S Interstitial Copper (Ge: Li); L Substitutional Copper Substitutional Copper Interstitial (Ge: Cu); 1 Interstitial Lithium (Ge: Li Cu). 1 s Our results are compared with experimental data in the literature.