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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.3.2007.tde-27072007-175354
Documento
Autor
Nome completo
Fernanda de Sá Teixeira
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2007
Orientador
Banca examinadora
Mansano, Ronaldo Domingues (Presidente)
Added, Nemitala
Salvadori, Maria Cecilia Barbosa da Silveira
Título em português
Anisotropia de resistividade elétrica em filmes finos nanoestruturados.
Palavras-chave em português
Deposição por plasma
Litografia
Materiais nanoestruturados
Microfabricação
Microscopia de força atômica
Microscopia eletrônica de varredura
Nanofabricação
Nanolitografia
Novos materiais
Plasma (microeletrônica)
Resistividade elétrica
Resumo em português
O objetivo principal deste trabalho foi desenvolver um dispositivo de filme fino com anisotropia de resistividade elétrica. A idéia foi usar um efeito quântico presente em filmes muito finos de materiais condutores ou semicondutores com morfologia anisotrópica na superfície. A morfologia foi um perfil unidirecional quase-senoidal. As resistividades foram determinadas medindo-se as resistências elétricas destes materiais em direções ortogonais, levando-se em conta a geometria da amostra e suas dimensões. O material condutor usado foi Polimetilmetacrilato (PMMA) com ouro implantado na superfície. A profundidade média de implantação foi 2,7 nm. Na fabricação do dispositivo foi utilizada micro e nanolitografia, caracterização por Microscopia Eletrônica de Varredura e Microscopia de Força Atômica e implantação de ouro por MePIIID (Metal Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition).
Título em inglês
Electrical resistivity anisotropy in nanostructured thin films.
Palavras-chave em inglês
Atomic force microscopy
Electrical resistivity
Litography
Microfabrication
Nanofabrication
Nanolithography
Nanostructured materials
New Materials
Plasma (microeletronics)
Plasma deposition
Scanning electron microscopy
Resumo em inglês
The main purpose of this work was to develop a thin film device with electrical anisotropic resistivity. The idea was to use a quantum effect which is present in very thin films of conductor or semiconductor materials with anisotropic morphology on the surface. The morphology was a sinusoidal-like unidirectional profile. The resistivities were determined measuring the electrical resistances of theses materials in orthogonal directions, taking in account the sample geometry and dimensions. The conductive material used was Polymethylmethacrylate (PMMA) with gold implanted on the surface. The average implanted depth was 2.7 nm. In the device fabrication were used micro and nanolithography, characterization by Scanning Electron Microscopy and Atomic Force Microscopy and gold implantation by MePIIID (Metal Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition).
 
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MPSIedrev.doc (75.50 Kbytes)
Data de Publicação
2007-08-24
 
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  • M. Cattani, et al. A near sinusoidal surface morphology created by scan-induced contact AFM nanolitography on PMMA Polymer. In 5th Materials Research Society Meeting and V Encontro da SBPmat, Costão do Santinho, 2006. 5th Materials Research Society Meeting and V Encontro da SBPmat., 2006. Resumo.
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