Nos últimos anos tem se dado uma evolução muito grande na área industrial de MEMS, e esta se caracteriza por desenvolvimento dos processos de microeletrônica para diminuição de custos e a própria integração de diferentes sistemas que passam a ser muito confiáveis em diferentes aplicações. Motivado pelas tendências de elevar os conhecimentos de processos para obtenção de MEMS, foi proposto um trabalho de corrosão anisotrópica de silício utilizando solução de hidróxido de potássio (KOH) junto com a adição de sais metálicos. O objetivo é comprovar o efeito de compensação cinética da reação e a influência destes metais no caráter anisotrópico e nas taxas de corrosão. Foi analisado o efeito de zinco, alumínio e cobre, e puderam ser observadas alterações nas taxas de corrosão e, conseqüentemente, nas geometrias resultantes no corpo de silício. Com a caracterização dessas mudanças comprovou-se suposições anteriores de que o efeito de compensação cinética encontrado na síntese direta de dimetilclorosilana (DMDCS) e silício, também ocorreria para a corrosão de silício em KOH, pois esses processos obedecem a lei de Arrhenius e tem um comportamento anisotrópico em silício. Os resultados obtidos, graças a um grande detalhamento de todos as etapas de processo e caracterização voltada à tecnologia do silício, comprovaram as suposições teóricas e mostraram como pode ser modificada a taxa de corrosão na anisotropia com a adição de metais em solução.

In the past few years it has been a huge evolution in industrial area of MEMS, and this one is characterized by the development of the processes of microelectronic to reduce cost and to integrate different systems that become very trustful in different applications. It is being done a work in silicon anisotropic etching in Potassium hydroxide (KOH) added with metallic impurities aiming the study of the kinetic compensation effect and the influence of these metals in the anisotropy and in etch rates. It was analyzed the effects of Zinc, Aluminum and Cupper and it could be observed changes in etch rates, and, consequently, in the resulting geometries. After characterization of theses changes it was proved that previous suppositions that the kinetic compensation effects found in direct synthesis of dimethyldichorosilane (DMDCS) and silicon would also occur for silicon anisotropic etching in KOH, due to both reactions follows Arrhenius law and are anisotropic reactions. The obtained results proved the theory suppositions that the etch rate and anisotropy can be modified when adding metals to the solution.