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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.3.2007.tde-07082009-174420
Documento
Autor
Nome completo
Sára Elizabeth Souza Brazão de Oliveira
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2007
Orientador
Banca examinadora
Martino, João Antonio (Presidente)
Giacomini, Renato Camargo
Onmori, Roberto Koji
Título em português
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Palavras-chave em português
Auto-aquecimento
Tecnologia SOI
Transistores
Resumo em português
Este trabalho apresenta o estudo do efeito de Auto-Aquecimento (Self-Heating SH) em transistores Silicon-On-Insulator (SOI) com estrutura de canal gradual (GC SOI MOSFET). São apresentadas as características da tecnologia SOI e em especial as características do transistor GC-SOI MOSFET. Foi realizada uma análise do SH usando uma comparação de dispositivos SOI convencionais com GC SOI nMOSFET. Esta análise compara dispositivos com o mesmo comprimento de máscara do canal e dispositivos com o mesmo comprimento efetivo de canal. Simulações numéricas bidimensionais foram efetuadas nas duas análises considerando o aquecimento da rede cristalina. Os modelos e a constante térmica usados nestas simulações também foram apresentados. É demonstrado que os dispositivos GC com o mesmo comprimento de máscara do canal apresentam uma ocorrência similar de SH independentemente do comprimento da região menos dopada apesar de uma maior corrente de dreno. Por outro lado, para mesmo comprimento efetivo de canal o SH é menos pronunciado em transistores GC uma vez que o comprimento de máscara do canal é aumentado para compensar a diferença de corrente. Esta análise é realizada também variando-se a temperatura de 200K a 400K e resultados análogos foram observados apesar do efeito ser mais intenso em baixas temperaturas.
Título em inglês
Study os self-heating effect in SOI transistors with graded-channel structure- GC SOI MOSFET.
Palavras-chave em inglês
Engineering
GC-SOI MOSFET
Self-heating
SOI MOSFET
Resumo em inglês
This work presents the study of Self-Heating (SH) effect in Graded-Channel Silicon-On-Insulator (GC SOI) nMOSFETs. The SOI technology characteristics are described with special attention to the GC SOI nMOSFET characteristics. A Self-Heating (SH) analysis was performed using conventional Silicon-On-Insulator (SOI) in comparison to Graded-Channel (GC) SOI nMOSFETs devices. The analysis was performed comparing devices with the same mask channel length and with the same effective channel length. Two-dimensional numerical simulations were performed considering the lattice heating in both cases. The models and the thermal conductive constant used in these simulations are also presented. It has been demonstrated that conventional and GC devices with the same mask channel length present similar occurrence of SH independently of the length of lightly doped region despite the larger drain current. On the other hand, for similar effective channel lengths, the SH is less pronounced in GC transistors as the mask channel length has to be increased in order to compensate the current difference. This analysis is also carried through varying it temperature of 200K to 400K and analogous results had been observed despite the effect being more intense in low temperatures.
 
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sara_ed_RevOK.pdf (1.59 Mbytes)
Data de Publicação
2009-08-14
 
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