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Martino, Joao Antonio

  
 
Gráficos Estatísticos
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Nome
Título
Área
Documento
Unidade
Ano
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização...
Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS.
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient")...
Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida...
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta...
Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual...
Influência do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla...
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante...
Caracterização elétrica de capacitores obtidos através de tecnologia ultra-submicrométrica....
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas.
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